|
25일 SK하이닉스는 이사회를 열고 용인 1기팹에 대한 신규시설투자 21조6000억원 집행 안건을 의결했다고 밝혔다. 앞서 2024년 발표한 시설투자비를 포함해 총 31조원 가량을 1기팹에 투입하게 된다. 신규 투자금은 용인 1기 팹 골조 공사 마무리부터, 2~6단계 클린룸 구축에 활용된다.
SK하이닉스는 "빠르게 증가하는 글로벌 고객 수요에 선제적으로 대응하고 안정적인 공급 체계를 한층 강화하기 위한 전략적 결정"이라며 "생산 역량을 조기에 확충하고, 고객이 필요로 하는 시점에 안정적으로 제품을 공급할 수 있는 기반을 마련하겠다"고 밝혔다.
국가첨단전략산업법에 따라 전략기술 보유기업이 입주한 산업단지 용적률이 법적 상한의 1.4배까지 완화되며, 용인 1기팹 클린룸 면적도 확장할 수 있는 여건이 마련됐다.
이에 SK하이닉스는 추가 시설투자를 통해 공급을 안정화하고, 이를 기반으로 글로벌 고대역폭메모리(HBM) 등의 시장에서 주도권을 공고히 하겠다는 의지다. 특히 고성능·고집적 반도체에 대한 수요가 구조적으로 확대된 만큼 수요에 맞춰 적절한 제품을 공급할 수 있도록 하겠다는 계획이다.
아울러 클린룸 오픈 시기도 당초 예상했던 2027년 5월에서 2027년 2월로 3개월 가량 앞당긴다. SK하이닉스는 "조기가동 준비 상황에 맞춰 실질적인 운영 체계를 적기에 구축해 미래 수요에 민첩하게 대응할 것"이라고 밝혔다.
