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中 메모리 ‘물량공세’ 시작됐다…삼성·SK, AI 집중 딜레마

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이지선 기자

승인 : 2026. 08. 30. 17:34

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#CHINA-ANHUI-HEFEI-CXMT (CN) <YONHAP NO-5105> (XINHUA)
<YONHAP PH창신메모리테크놀로지(CXMT) 허페이 본사./연합
인공지능(AI)발 메모리 호황이 중국 메모리 업체들의 추격에도 힘을 실어주고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 디램(DRAM) 등 고부가 AI 메모리에 생산능력을 집중하면서 범용 메모리까지 공급 부족과 가격 상승이 확산됐고, 후발주자인 중국 업체들이 실적이 크게 개선되면서다. 중국 업체들이 다시 생산능력 확대에 나서면서 향후 범용 메모리 시장의 공급과 가격을 압박할 변수로 부상하고 있다는 분석이다.

30일 외신 등에 따르면 중국 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 올해 상반기 매출 1503억1000만위안(약 30조8000억원)을 기록했다. 지난해 같은 기간보다 873.64% 급증한 규모다. 순이익은 776억500만위안(약 16조원)으로 지난해 상반기 23억3000만위안의 순손실에서 대규모 흑자로 돌아섰다.

CXMT의 실적 개선 배경에는 글로벌 D램 공급 부족과 가격 상승이 있다. AI 데이터센터 투자 확대로 HBM과 서버용 D램 수요가 크게 늘어난 가운데 삼성전자와 SK하이닉스 등 선두 업체들이 한정된 생산능력을 고부가 제품에 우선 배분하면서 범용 D램 공급이 오히려 빠듯해졌기 때문이다. CXMT 역시 글로벌 컴퓨팅 수요 증가와 주요 업체들의 생산능력 조정으로 D램 가격이 상승하면서 판매 이익이 크게 늘었다고 설명했다.

호황을 등에 업고 생산능력도 빠르게 확대하고 있다. 모건스탠리는 올해 CXMT의 월간 웨이퍼 생산능력이 30만장에 달해 글로벌 D램 생산능력의 약 13%, 비트 기준 출하량의 약 11%를 차지할 것으로 추산했다. 아직 기술력에서는 글로벌 선두 업체보다 2~3세대 뒤처졌다는 평가지만, 범용 D램에서 확보한 수익을 추가 증설과 연구개발(R&D)에 투입하면서 추격 속도를 높일 가능성이 있다.

낸드플래시에서는 중국의 증산 움직임이 더욱 가파르다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 중국 YMTC의 낸드 웨이퍼 생산량은 올해 201만장에서 내년 249만6000장으로 약 24% 증가할 전망이다. 반면 삼성전자는 같은 기간 477만장에서 484만5000장으로 약 1.6%, 솔리다임을 포함한 SK하이닉스는 279만장에서 286만5000장으로 약 2.7% 늘어나는 데 그칠 것으로 예상된다.

YMTC의 증산은 이미 시장 점유율 변화로 이어지고 있다. YMTC는 올해 2분기 출하량 기준으로 키옥시아를 제치고 처음 글로벌 낸드 시장 3위에 올랐다. 고부가 제품 비중이 낮아 매출 기준으로는 5위지만, 연말 초기 가동에 들어가는 우한 3공장을 통해 내년부터 생산량을 더욱 빠르게 확대할 전망이다.

삼성전자와 SK하이닉스로서는 AI 메모리 호황을 최대한 활용하면서 범용 시장에서 중국의 추격도 견제해야 하는 상황이다. 당장 중국 업체들이 HBM 등 첨단 시장에서 국내 업체를 따라잡을 가능성은 낮지만, 늘어난 생산능력이 향후 메모리 수급과 가격에 미칠 영향은 변수다. 현재처럼 공급이 부족할 때는 중국의 증산 물량이 시장에 흡수될 수 있지만 수요 증가세가 둔화하면 공급과잉과 가격 하락으로 이어질 수 있기 때문이다.

시장정보업체 트렌드포스는 낸드의 경우 2027년 하반기부터 신규 생산능력 가동과 소비자용 전자제품 수요 부진이 맞물리며 공급이 느슨해지고 가격 하방 압력이 커질 것으로 전망했다. 삼성전자와 SK하이닉스도 중장기적으로 낸드 생산능력 확대를 준비하고 있다. 삼성전자는 평택캠퍼스 P5 일부 클린룸에서 낸드를 생산할 예정이며, SK하이닉스는 청주 M17을 내년 2월 착공해 2028년 말 첫 번째 클린룸을 열 계획이다. 중국 업체들의 증산이 이보다 앞서 본격화하는 만큼 향후 범용 메모리 시장의 경쟁 강도는 더욱 높아질 전망이다.
이지선 기자

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