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질화알루미늄 세라믹을 기반으로 한 H-AlN DCB는 알루미나 기반제품 대비 열전도도가 6배 이상 높다. 열전도도가 높은 소재일수록 열에너지를 더 잘 방출한다. 고전력 사용 환경에서 발생하는 열을 빠르게 배출해 반도체 소자가 효율적으로 오랜 시간 작동할 수 있다.
KCC는 H-AlN DCB를 개발에 약 4년이 걸렸다. 특히 개발 과정에서 최적의 배합비를 찾는 데 많은 공을 들였다.
KCC 관계자는 “이번 개발을 통해 KCC 소재 기술력을 세계 무대에서 널리 알리는 계기로 삼고 다양한 특수 공정까지 고려한 제품 개발로 시장 확대에 박차를 가할 계획”이라고 말했다.










